半导体放电管的优点和选型 

分享 收藏 已有 101 次阅读  2018-08-03 11:25

是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件,具有精确导通、快速响应(响应时间ns级)、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌通流能力较同尺寸的TVS管强,可在无源电路中代替TVS管使用。但它的导通特性接近于短路,不能直接用于有源电路中,在这样的电路中使用时必须加限流元件,使其续流小于最小维持电流。半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。

半导体放电管优点:

1、击穿前相当于开路,绝缘电阻很大,漏电流很小;2、具有双向对称特性;

3、回应速度很ns 级;

4、击穿电压一致性好。

半导体放电管缺点:

1、相对于陶瓷放电管通流量较小,只有几百A;2、击穿电压只有若干特定值;

3、电容较大,有几十至几百pF。


半导体放电管的选型:

在选用TSS 时,一般应遵循以下原则:

1、截止电压VDRM的选取:截止电压必须大于被保护的电路的最大工作电压;2、转折电压VBO的选取:转折电压必须小于设备能承受的最大瞬态峰值电压;3、维持电流IH的选取:维持电流必须大于设备的工作电流和短路电流;4、寄生电容C 的选取:生电容根据电路所允许的插入损耗或信号传输的频率选择;5、浪涌通流的选取:浪涌电流的选择根据电路或浪涌测试标准要求进行不同等级的选择;

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